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    上海硅酸鹽所在SiC-LED研究中取得突破性進展

    來源:今日電子     發(fā)布時間:2014-08-26
        中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯(lián)合攻關,在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術,如SiC單晶底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展,研制出了多種結(jié)構的SiC-LED,并封裝成了燈具,完全打通了SiC-LED技術路線,為SiC-LED技術在半導體照明產(chǎn)業(yè)領域的推廣打下了基礎。 

        半導體照明是一種基于LED的新型光源的固態(tài)照明,襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展的基礎,不同的襯底材料決定了LED外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術。因此,襯底材料決定了半導體照明技術的發(fā)展路線,目前用于LED的襯底材料主要有藍寶石、碳化硅(SiC)、硅以及金屬襯底。以藍寶石為襯底的LED生產(chǎn)技術最成熟,在整個半導體照明產(chǎn)業(yè)中占主導地位,但是由于藍寶石材料特性限制了其在高光效、大功率LED方面的應用。SiC單晶襯底材料晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)與GaN材料更為接近,晶格失配率僅為3.5%,加之良好的導電性能和導熱性能,能夠較好地解決高光效、大功率LED器件的散熱問題。當前,中國還沒有企業(yè)采用SiC-LED技術路線,一方面原因是SiC襯底加工相比于藍寶石襯底昂貴,另一方面是SiC-LED核心技術主要被國外公司掌握。上海硅酸鹽所是國內(nèi)最早開始研發(fā)SiC單晶材料的單位,經(jīng)過十余年的積累,攻克了大尺寸、高質(zhì)量SiC單晶襯底材料的一系列關鍵技術,在上海硅酸鹽所中試基地(高新技術企業(yè))形成了批量生產(chǎn)SiC單晶襯底的生產(chǎn)線。依托國內(nèi)最先進的創(chuàng)新研發(fā)平臺之一,即半導體所的“中國科學院半導體照明研發(fā)中心”,上海硅酸鹽所與半導體照明研發(fā)中心發(fā)揮各自優(yōu)勢,將繼續(xù)在SiC-LED技術方面進行創(chuàng)新研究,為我國SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入活力。
    責任編輯:李尚峰
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