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合作（1）
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知識
高性能氮化鎵基電子材料
關鍵字：
微電子
氮化鎵
所屬行業(yè)：
機械、電子信息、先進裝備制造
發(fā)布時間：
2015-06-02
價格：
所在地區(qū)：
北京 海淀區(qū)
合作信息期限：
2016年12月
合作信息類型：
意向合作
機構類型：
企業(yè)
供求關系：
供應
合作信息簡介：
【技術領域】微電子與電子信息 【技術開發(fā)單位】中國科學院半導體研究所 【技術簡介】采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）方法，在藍寶石或碳化硅襯底上外延高性能氮化鎵（GaN）基電子材料。 【技術特點】采用本技術制備GaN基電子材料，生長速度快，產(chǎn)量高，質量、重復性和均勻性..
發(fā)布機構：
中國科學院半導體研究所
共
1
頁 總數(shù)：
2
條
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