成果簡介成果名稱：通訊InGaAs/InP PIN光電探測器芯片

　　成果擁有單位：廈門大學

　　成果簡介：

　　特點：暗電流低。利用異質結分離效應，光敏直徑75微米芯片的暗電流可達到0.1nA。光響應度高。1310nm 達0.85～0.90 A/W,1550nm達0.95～1.05 A/W。頻率高。光敏直徑75微米芯片的截止頻率為2.5GHz以上。性能可靠。采用氧化鋁為鈍化掩膜，芯片性能在10年以上。制造成本低。采用開管鋅擴散工藝，大大節省了成本和時間。

　　本芯片制造技術已經逐漸成熟，完成了實驗室小試、中試，工業化試生產，以及小批量供應國內外用戶使用得到好評。正在進行專利申請，制定產品的企業標準，并進行項目鑒定。光電探測器是將光信號轉換為電信號的主要器件，廣泛應用在光纖通信網絡的光交換機、光接收端機、中繼站，移動通信網絡的光直放站，計算機網絡中的光纖收發器、光纖網卡、光交換機、光集線器，有線電視網絡的光接收機、光工作站、中繼站等設備中和半導體激光器穩定驅動電路中?？傊?，只要有光和光纖的地方就需要有光電探測器。投產條件：作伙伴最好是半導體器件廠家，已經具有平面工藝生產線設備。投產資金：600～1000萬元(含設備和流動資金，不含土建)。預期經濟效益：成本預算：國產2英寸InGaAs/InP 外延片約 6000元/片，進口約8000～12000元/片。芯片工藝成本約1000元/片。芯片產值預計：每個外延片約有8100個管芯，按成品率75%計算，可產管芯6000只。以最常見的光敏直徑75微米芯片為例，最低單價管芯1.5美元/只。一片2英寸外延片可獲產值約7萬元，利潤約4～5萬元。按設備能力每天至少可生產一片，如果有定單可在2年內回收投資。

　　合作方式：技術轉讓或合作開發。

　　聯系方式：

　　聯 系 人：陳 朝

　　電話：0592-2182458(O);2180940(H)

　　E - mail ：cchen@xmu.edu.cn