成果名稱：超高亮度GaN基LED芯片

　　成果擁有單位：廈門大學(xué)

　　成果簡(jiǎn)介：

　　半導(dǎo)體LED(發(fā)光二極管)具有發(fā)光效率高、多色、節(jié)能、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)快、體積小、全固化、冷光源(不發(fā)熱)、綠色環(huán)保(無(wú)污染)、驅(qū)動(dòng)容易等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種信號(hào)和圖像的顯示。近年來(lái)國(guó)際上在GaN基材料上取得突破進(jìn)展，研制出高效率的藍(lán)色和白色高亮度LED，不但能實(shí)現(xiàn)大屏幕全彩色顯示，而且有可能取代目前的白熾燈、熒光燈等用于照明工程，從而徹底改變目前人類的生活。當(dāng)前國(guó)內(nèi)藍(lán)色、白色LED芯片主要還是依靠進(jìn)口，在國(guó)內(nèi)封裝。國(guó)內(nèi)能生產(chǎn)芯片的廠家不多，而且芯片的發(fā)光效率、發(fā)光功率、正向工作電壓、抗靜電感應(yīng)能力、工作壽命等性能方面和國(guó)外還有一定的差距，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)也不多。所以，研發(fā)生產(chǎn)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超高亮度GaN基LED芯片是適應(yīng)當(dāng)前的LED形勢(shì)，具有很大的發(fā)展前景和良好的經(jīng)濟(jì)效益。

　　目前GaN基材料的P型有效摻雜濃度太低和良好的P型歐姆接觸制備困難，它將降低PN結(jié)的注入比、降低發(fā)光效率、增加器件正向工作電壓、使器件發(fā)熱、性能變差，成為約束GaN基材料和器件發(fā)展技術(shù)瓶頸。我們提出激光誘導(dǎo)下P型GaN有效摻雜和P型歐姆接觸制備的方法，并獲得表面處空穴濃度3.2×1018cm-3和P型比接觸電阻為2.1×10-4Ωcm2的良好效果，已達(dá)國(guó)際水平，是目前國(guó)內(nèi)所報(bào)道的最好結(jié)果。已申請(qǐng)了“激光誘導(dǎo)下氮化鎵P型有效摻雜制備方法”(申請(qǐng)?zhí)枺?00310121093.5，公開(kāi)號(hào)：CN1554576A)和“激光誘導(dǎo)下氮化鎵P型歐姆接觸的制備方法”(申請(qǐng)?zhí)枺?00310121092.0，公開(kāi)號(hào)：CN1554575A)兩項(xiàng)發(fā)明專利。該技術(shù)和傳統(tǒng)的芯片制備工藝完全兼容，僅增加濺射和激光誘導(dǎo)兩道工序。采用該技術(shù)后，GaN 藍(lán)色(或白色)LED的性能將得到大大改善：如正向的工作電壓將從目前國(guó)內(nèi)的3.5V左右降低到3.2V，發(fā)光效率和發(fā)光功率都將得到提高。應(yīng)用范圍：半導(dǎo)體LED(發(fā)光二極管)芯片生產(chǎn)。目前2英寸直徑的GaN基延片單價(jià)$300美元，每個(gè)芯片面積約380x380微米，芯片成品率約80%，每片外延片可制備LED芯片 約1萬(wàn)只。將一片外延片加工為芯片的費(fèi)用約￥1000元。每個(gè)芯片的價(jià)格約(￥0.2~1.0元)。具體效益主要由定單決定。

　　合作方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓或技術(shù)入股合作研發(fā), 總經(jīng)費(fèi)投入約1000萬(wàn)元人民幣(含技術(shù)轉(zhuǎn)讓費(fèi))。

　　聯(lián)系方式：

　　聯(lián) 系 人：陳 朝，劉寶林

　　聯(lián)系電話：0592-2180940(H), 0592-2182458(O)，0592-2188277(O);

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