成果名稱：新型功能性連續SiC自由薄膜

　　成果擁有單位：廈門大學

　　成果簡介：

　　本項目處于國際領先水平。主要創新點：(1)采用熔融紡膜與先驅體轉化法相結合制備出了新型的功能性連續SiC自由薄膜(厚度8~100微米，寬度20毫米，連續長度>100米);(2)從原料的合成階段引入異質元素改性，制備出了耐超高溫、低電阻率及高頻發光特性的連續SiC(Al)自由薄膜及適合太陽能電池窗口材料的P型光伏薄膜。主要特色：自由薄膜制備具有成本低、工藝簡單、可工程化及結構功能一體化等特點，所制備的產品具有厚度與成分可控、高頻寬譜帶藍光、紫外光發射、強抗輻射能力、耐磨損、耐高溫及化學穩定性好等優良特性。此外，利用連續SiC自由薄膜獨特的性質可在其表面形成一層連續的SiO2氧化層，這對各種制作以MOS為基礎的器件非常有利。

　　項目組已突破了具有光電特性的連續SiC自由薄膜的關鍵技術，并制備出多種組分PCS先驅體，掌握了連續SiC自由薄膜不熔化交聯預處理與高溫裂解燒結的關鍵工藝，形成了連續SiC自由薄膜材料小批量生產能力。本技術已申報并公開了“一種碳化硅薄膜成型裝置與碳化硅薄膜的制備方法”(CN101219788)、“一種發光碳化硅薄膜的制備方法”(CN 101275075)等6項國家發明專利，在國內外重要學術刊物上發表論文6篇。連續SiC自由薄膜由于具有禁帶寬度大、致密度高、缺陷密度小、自支撐與無束縛、電子遷移率高、熱導率高、抗輻射能力強、化學穩定性好以及與硅集成電路工藝兼容等特性而成為理想的新型寬帶隙半導體材料，在微機電系統(MEMS)、光電集成器件、藍光發光器件、光伏器件、高溫紫外光敏器件及高溫壓力傳感器等高技術領域上都顯示了很大的優越性，其應用前景十分廣闊。投產條件：以年產50~100公斤連續SiC自由薄膜需投資約200~250萬元，用于添置高溫高壓釜、熔融紡絲機、真空脫泡爐、中高溫真空氣氛燒結爐等設備，廠房面積約800～1000平方米。效益分析：生產該產品投資回收期在2~3年。投資利潤達200%-300%，投資收益率達300%以上，投資凈產值率達200%-300%，成本利潤率達到450%。根據有關統計，本產品開發到投入市場，年產值增加5000萬，利潤增加3000萬，創稅500萬，具有非常可觀的經濟效益。

　　合作方式：技術轉讓或聯合開發。

　　聯系方式：

　　聯 系 人：馮祖德 電話：0592-2181538/15960298715

　　E – mail ：zdfeng@xmu.edu.cn