CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.6$/W。
本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構成淺埋式p-n結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被p-n結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速加熱硒化處理（RTP）→化學水浴法沉積CdS或ZnS→本征ZnO濺射沉積→ZnO:Al透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al電極沉積，等。
小面積電池指標：效率8.89%(FF=0.62,Voc=423mV，Jsc=33.74mA/cm2)；
10×10cm2面積上電池指標：效率6.1%。
實驗室樣品已經開發出來，技術水平處于國內領先地位。
現投資生產的CIGS薄膜太陽電池，都采用真空法，低成本的非真空法技術將成為升級技術。
建立1MW的中試線，以平均轉換效率6％、成品率80％計算，年產值為2240萬元（28元/Wp），利潤640萬元(成本20元/Wp，)。隨效率的提高和生產規模的擴大，效益可以大幅度增加。
申請專利號 200810053356.6；201010150362.0。