本發明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結構和制備技術，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結構的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關鍵工藝——子電池內聯集成技術，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術領域。本發明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結合濕法腐蝕ZnO的方法，實現具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內聯集成技術，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太陽電池低成本的優勢。是一個結構設計思想巧妙的制備技術。
 專利（申請）號: 200510014307.8。