【技術簡介】采用純度均為5個9的高純碳粉和高純硅粉先各自提純，然后再以質量比為3:7的比例關系，使其均勻混合之后，裝進合成坩堝內，然后放入合成爐內，進行提純合成，合成采用固相反應法進行合成。
【主要技術指標】粒度 ≤0.1mm；硼（B） ≤0.5ppm；磷（P） ≤0.5ppm；硫（S） ≤0.5ppm；鐵（Fe） ≤0.5ppm；鉻（Cr） ≤0.4ppm；鎳（Ni） ≤0.3ppm；鈷（Co） ≤0.3ppm；鋁（Al） ≤0.3ppm；鎂（Mg） ≤0.3ppm；鈉（Na） ≤0.3ppm；鈦（Ti） ≤0.3ppm；真空包裝。
【技術特點】采取高溫預燒的提純方式，即將所要提純的物質在高溫爐中加熱，保溫并保持抽真空狀態，將其中吸附的氣體雜質、水分及高溫下蒸發出來的雜質以氣體形式隨抽真空排出，以此方式來除雜。另外，對于高純碳粉采用熱氯化的方式來除雜。經過分別提純后的高純碳粉和高純硅粉置于提純處理過的坩堝中，放入合成爐中進行合成，在合成高純碳化硅粉料的同時，通過控制合成的溫度和時間來達到控制粉料顆粒度的目的。
【適用范圍】高純SiC單晶片生長用粉料
【專利狀態】授權專利1項
【技術狀態】批量生產階段
【合作方式】
（1）投資需求。尋求投資擴大產能，電子級SiC高純粉料產能達到2000Kg/年，資金需求2000萬元，實施周期12個月；
（2）合作開發。與其他單位合作進行技術開發、市場開拓等，并共享新產品有關權益。
（3）技術服務。利用技術為其他單位提供設計開發、難題診斷及技術攻關、設備及生產線研發、工程設計等服務。
【預期效益】掌握碳化硅粉料研制的關鍵科學技術，形成自主知識產權，不但可滿足國內碳化硅研制單位對碳化硅材料的要求，打破國外封鎖禁運，而且推動寬禁帶半導體技術在我國的發展，對發展獨立自主的高科技科學技術意義重大。將會產生極為顯著的社會效應。
【聯系方式】崔志勇 010-56993368/18500064151