合作信息
電子封裝用鋁基復合材料
發布單位：哈爾濱工業大學
所屬行業：新材料
合作信息類型：技術協作
機構類型：高等院校
供求關系：供應
合作信息期限：2014-12
參考價格：面議
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合作信息簡介
主要研究內容
電子封裝用鋁基復合材料主要包括SiCp/Al、AlNp/Al和Sip/Al等復合材料。它們采用專利擠壓鑄造方法制備，該工藝生產成本低、設備投資少、制成的材料致密度高，且對增強體和基體合金幾乎沒有選擇，便于進行材料設計。“金屬基復合材料工程技術研究所”在這一工藝上擁有多項發明專利，技術成熟，并具有獨立開發新型材料的能力。
本電子封裝材料具有低膨脹、高導熱、機械強度高等優點，可以與Si、GaAs或陶瓷基片等材料保持熱匹配。與目前常用的W/Cu、Mo/Cu復合材料相比，導熱性、熱膨脹性能相當，但成本更低、質量輕，應用于微波器件、高性能、電力電子模塊等多種電子（或光電子）器件封裝中，對降低成本、減輕重量會起到積極的作用。國內電子電子器件對此類材料的需求頗為巨大，市場前景廣闊。
主要技術指標
SiCp/Al AlNp/Al Sip/Al
密度 (g/cm3) 2.9~3.0 2.9~3.0 ~2.4
熱膨脹系數 (×10-6/℃)
(20～100℃) 7.3～11.1 8.9～10.7 7.9~~12
導熱率 (W/(m?℃)) 120～170 65～90 85~100
彎曲強度 (MPa) 370～430 530～650 270~350
彈性模量 (GPa) 150～215 140～175 100~120
電子封裝用鋁基復合材料主要包括SiCp/Al、AlNp/Al和Sip/Al等復合材料。它們采用專利擠壓鑄造方法制備，該工藝生產成本低、設備投資少、制成的材料致密度高，且對增強體和基體合金幾乎沒有選擇，便于進行材料設計。“金屬基復合材料工程技術研究所”在這一工藝上擁有多項發明專利，技術成熟，并具有獨立開發新型材料的能力。
本電子封裝材料具有低膨脹、高導熱、機械強度高等優點，可以與Si、GaAs或陶瓷基片等材料保持熱匹配。與目前常用的W/Cu、Mo/Cu復合材料相比，導熱性、熱膨脹性能相當，但成本更低、質量輕，應用于微波器件、高性能、電力電子模塊等多種電子（或光電子）器件封裝中，對降低成本、減輕重量會起到積極的作用。國內電子電子器件對此類材料的需求頗為巨大，市場前景廣闊。
主要技術指標
SiCp/Al AlNp/Al Sip/Al
密度 (g/cm3) 2.9~3.0 2.9~3.0 ~2.4
熱膨脹系數 (×10-6/℃)
(20～100℃) 7.3～11.1 8.9～10.7 7.9~~12
導熱率 (W/(m?℃)) 120～170 65～90 85~100
彎曲強度 (MPa) 370～430 530～650 270~350
彈性模量 (GPa) 150～215 140～175 100~120
