【技術簡介】本項目圍繞探測器用CdZnTe晶體的制備與開發應用，采用改進的垂直布里奇曼技術，通過合理設計成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探索了優化的晶體生長和退火改性工藝，生長出滿足探測器要求的高性能CdZnTe晶體。圍繞對X射線和γ射線等不同能量射線檢測及應用的要求，解決了探測器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難題，建立了探測器用CdZnTe晶片的篩選機制和生產線，制備了對X射線和γ射線響應良好的CdZnTe探測器，實現了CdZnTe晶體和探測器的小批量生產。

　　【技術特點】 
　　（1）高能量分辨率；
　　（2）高探測效率；
　　（3）高穩定性；
　　（4）室溫使用；

　　【技術水平】
　　（1）CdZnTe晶錠直徑：≥60mm；
　　（2）單晶尺寸：5´5´3mm；10´10´10mm；20´20´5m；，
　　（3）晶體電阻率：≥1010W cm；
　　（4）晶體載流子輸運特性mt≥10-3 cm2/V；
　　（5）CdZnTe探測器對241Am@59.5KeV的能量分辨率：＜5%；
　　（6）CdZnTe探測器對137Cs@662KeV的能量分辨率： ＜2%。

　　【可應用領域和范圍】適用于環境監測、核技術、醫學診斷、工業無損檢測、安全檢查、天文觀測。

　　【專利狀態】已獲得專利11項。

　　【技術狀態】 小批量生產階段

　　【合作方式】技術轉讓

　　【投入需求】本項目產業化總投資約需2億元，主要包括廠區平面、工藝廠房、輔助廠房、辦公生活區建筑、工藝設備、動力設備購置及安裝等。

　　【預期效益】本項目的建成對提高和健全我國輻射探測器晶體材料產業具有十分重大的意義，將打破美國、加拿大等國對第三代輻射探測器CZT晶體生長技術的壟斷，進一步促進CZT材料在各類輻射探測器領域的應用。
　　項目完成后將形成CZT晶體材料及元件的批量生產能力，配置60臺晶體生長爐，產能達到2000萬立方毫米/年，銷售額11600萬元/年。

　　【聯系方式】李源  029-88430816