技術參數
1、存儲容量：8TB；<br>
2、存儲模塊多接口PCIe3.0*4、USB3.0、Sata3.0；<br>
3、順序寫入速度2.5GB/s；<br>
4、順序讀取速度3GB/s；<br>
5、IOPS性能≥40K；<br>
6、物理銷毀時間<2s且不可恢復。
功能描述
高速大容量固態存儲控制技術利用高性能SoC實現對數據的高速存儲，主要包括：先進接口協議轉換技術、內部高速緩存技術、高性能FTL控制技術以及多通道NAND Flash并行控制技術等。
先進接口協議轉換技術主要是實現當今固態存儲設備最為先進的NVMe接口協議，實現存儲設備與主機間數據的高速傳輸。
高速緩存技術主要是采用多片DDR4高速緩存芯片，通過“乒乓操作”實現讀寫數據的高速緩存以及地址映射表的動態加載。
高性能FTL控制技術主要是實現固態存儲控制中的多種控制功能，主要包括地址映射、垃圾回收、損耗均衡、壞塊管理以及掉電保護等。通過對上述功能的實現與優化，在實現對NAND Flash的高速讀寫操作的同時，提高整個固態存儲設備的可靠性。
多通道并行技術，由于單片NAND Flash芯片讀寫速度以及存儲容量都是有限，因此通過對多片NAND Flash的并行讀寫操作才能夠提高讀寫速度以及存儲容量。
同時為滿足軍工、金融以及電信等行業對數據可靠性的需求，存儲控制技術還將實現高性能數據加解密技術以及快速物理銷毀技術，以保證所存儲數據的高可靠性。
供應單位 西北工業大學計算機測控與仿真技術研究所
聯系方式 029-88460477-801