在太陽能光伏發電和電子工業的快速發展的情況下，大直徑、高純度的晶體硅的需求越來越大。該項目利用磁場結合覆蓋液技術，獲得了磁場和覆蓋劑共同控制下熱對流及溫度波演化的三維時空圖像，以及磁場強度、幾何特征及覆蓋劑的厚度、雜質等外在參數對單晶硅生長質量控制，通過抑制熔體的熱對流和溫度波動，降低熔硅與石英坩堝的反應速率，控制氧的濃度和分布，從而在磁場中生長出高質量大直徑的硅單晶。      技術特點：（1）結合覆蓋劑的應用，獲得不同磁場下，硅熔體內熱對流產生的臨界條件、演化規律；（2）在磁場作用下，對流中的最大渦量強度減小到 20.7（1/s）；（3）完全抑制了對流的不穩定和溫度的波動；（4）利用覆蓋劑的磷雜質直接對單晶硅進行摻雜性。      應用領域及前景：該項目技術成熟，其應用對太陽能電池生產具有重大意義。