太陽(yáng)能是大自然賜予人類最清潔，最豐富的能源資源，目前商用的太陽(yáng)能電池以晶體硅電池為主，由于晶體硅消耗硅料較多，近年來(lái)人們一直致力于開(kāi)發(fā)硅薄膜電池。非晶硅薄膜電池已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)并有了一定的市場(chǎng)份額，但它仍存在不足之處，包括光致衰減效應(yīng)和轉(zhuǎn)換效率不高(約 6％)等。本項(xiàng)目在國(guó)家 863 計(jì)劃課題(2006AA03Z219)支持下，開(kāi)展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和納米晶薄膜的制備和相關(guān)材料的單結(jié)與疊層硅基太陽(yáng)能電池關(guān)鍵技術(shù)研究，已經(jīng)申請(qǐng)發(fā)明專利 5 項(xiàng)，發(fā)表科研論文 20 余篇。      技術(shù)特點(diǎn)：1.利用 LPCVD 方法和自擴(kuò)散技術(shù)生長(zhǎng)多晶硅 p-n 結(jié)，結(jié)合層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池； 2．采用金屬誘導(dǎo)晶化和快速熱處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜的制備并在低溫下制備太陽(yáng)能電池；3. 在 PECVD 和 HWCVD 生長(zhǎng)硅薄膜時(shí)，通過(guò)生長(zhǎng)溫度，氣體流量，氫氣稀釋比，腔室氣壓等參數(shù)實(shí)現(xiàn)微晶硅或者納米晶薄膜的生長(zhǎng)；4. 采用雙層膜技術(shù)減小表面處入射光的反射并實(shí)現(xiàn)表面鈍化，提高入射光的收集率和少數(shù)載流子壽命；5. 采用高低結(jié)結(jié)構(gòu)增加光生載流子的收集效率；6. 采用隧道結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層太陽(yáng)能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。      應(yīng)用領(lǐng)域與前景：新型低成本薄膜太陽(yáng)能電池的制備，實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能發(fā)電成本降低到 1 元／度以下的目標(biāo)。