【技術簡介】功率VDMOS場效應晶體管是新一代大功率半導體器件，其主要優點是開關速度快、驅動功率小、安全工作區寬、溫度穩定性好。

　　功率MOS晶體管一般用作開關電源或電機控制器的主開關器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此，新型功率MOS晶體管是高新設備中非常重要的基礎器件，對電源系統小型化、高性能化而言是必不可少的；對提高整機的性能具有十分重要的、普遍的意義。

　　迄今，我國民用功率MOS晶體管依然主要依靠進口，批量生產的技術平臺沒有得到很好的建立。已經影響到電力電子行業，尤其是汽車電子、電力傳動、動力電能轉換設備的性能提升。因此，實現功率MOS晶體管軍轉民的產業化，對打破國外技術壟斷、實現自主創新，建立節約型社會、實現國民經濟可持續發展等均具有十分重要的意義。

　　【技術特點】功率MOS晶體管是場控多子器件具備開關速度快、驅動功率小、安全工作區寬的特點。

　　由于開關速度快，在開關電源等變流裝置中，可使電路在更高的頻率下工作，因此可大大減小變壓器的體積和重量。電源不但在電子設備中必不可少，而且往往是電子設備中最笨重的部分。因此，功率MOS晶體管對促進軍用電子裝置的小型化、輕量化具有決定性的影響。對航天工程和導彈，意味著燃料消耗減少、射程增加；由于驅動功率小，使驅動電路大大簡化，元器件數量減少，故障率降低；由于安全工作區寬、熱穩定性好，因此使用中不易燒毀，可提高武器裝備的可靠性。

　　【技術指標】


器件型號    主要指標
CS50N6      BVDSS=60V，ID=50A，
CS75N5.5    BVDSS=55V，ID=75A，
CS10N10     BVDSS=100V，ID=10A，
CS28N10     BVDSS=100V，ID=28A，
CS75N10     BVDSS=100V，ID=75A，
CS9N20      BVDSS=200V，ID=9A，
CS17N20     BVDSS=200V，ID=17A，
CS8N50      BVDSS=500V，ID=8A，
WVM65N20    BVDSS=200V，ID=65A，
WVM32N50    BVDSS=500V，ID=32A，
WVM65N20    BVDSS=200V，ID=65A，
WVM77N65    BVDSS=650V，ID=77A，

　　
　　【技術水平】國際先進

　　【可應用領域和范圍】電力電子行業，包含：汽車電子、電力傳動、逆變等。

　　【專利狀態】已取得專利3項

　　【技術狀態】批量生產、成熟應用階段

　　【合作方式】融資需求

　　【投入需求】500萬元

　　【轉化周期】1年

　　【預期效益】MOS 功率器件因其性能先進，又具有明顯的節能、功能驅動作用，在綠色電源、通信及計算機電源、變頻調速、感應加熱、新型家電、電動交通工具等領域都有巨大的應用前景。

　　受到下游電子制造業快速發展的影響，2004 年到2008年中國MOS市場快速增長，2008年，中國MOS 市場需求量為198.2億個，比2007 年增長了11.9%，市場需求額為237.0 億元，比2007 年增長10.9%。

　　2009年功率MOS市場銷售收入的主要來源是三個領域：數據處理占銷售收入的41%，消費電子占25%，通信占23%。2010年通訊領域，創造了6.17億美元的功率MOS銷售收入，高于2009年的3.65億美元。消費電子2010年創造5.7億美元的功率MOS銷售收入。2010年汽車市場創造1.01億美元的功率MOS銷售收入，比2009年勁增64%。

　　2010年中國功率MOS市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。功率MOS在2010年多數時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業的需求，包括本地數據處理、消費與通信領域。

　　2010-2015年增長速度約為12%，市場的總體復合年度增長率將為13.7%，筆記本將是推動增長的主要因素。憑借著較快的市場增長率以及廣闊的市場發展空間，MOS管成為中國分立功率器件市場發展亮點。

　　上述數據表明：該項目經濟效益好，能為企業增加較大的利潤，投資回收期短，抗風險能力強，全面衡量結果認為：本項目經濟效益好，項目可行。

　　【聯系方式】劉文輝029-84508244/18991165860