【技術(shù)簡介】為滿足國防軍工應(yīng)用，我所組織團(tuán)隊(duì)進(jìn)行高溫YAG,、LYSO、窗口材料等高溫晶體生長設(shè)備的研發(fā)，針對目前現(xiàn)有設(shè)備情況，集中力量解決設(shè)備智能化水平、高溫負(fù)壓控制技術(shù)、超低晶升技術(shù)、稱重?cái)?shù)據(jù)處理等技術(shù)難題，以晶體實(shí)時(shí)生長速度為控制參量，解決在控制過程中出現(xiàn)的滯后、非線性控制問題、實(shí)現(xiàn)在高壓、真空、負(fù)壓、高溫、流動性氣氛等多種工藝下的感應(yīng)法、電阻法全自動高溫晶體生長工藝。可以滿足絕大多數(shù)晶體全自動生長需求。

　　【技術(shù)特點(diǎn)】系統(tǒng)采用智能化運(yùn)行，節(jié)省大量人力物力，提高生產(chǎn)效率；具備自診斷功能，針對各類型情況自動判斷處理，安全防護(hù)性大大提高；產(chǎn)品工藝重復(fù)一致性提高。獨(dú)有的數(shù)據(jù)比對功能，便于數(shù)據(jù)分析和工藝的提升；獨(dú)有的數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)，提高系統(tǒng)控制的準(zhǔn)確性，更利于溫度場的穩(wěn)定；特有的晶體建模軟件，有利于各類型形狀晶體的穩(wěn)定控制和生長；超低拉速穩(wěn)定控制，有利于特種晶體的極低拉速穩(wěn)定生長；設(shè)備整體水平達(dá)到國際先進(jìn)水平。

　　【技術(shù)指標(biāo)】

　　提拉有效行程：  550mm
　　提拉速度范圍：  0.1~100mm/min
　　旋轉(zhuǎn)速度范圍：  1~40r/min
　　手控升降速度：  1~100mm/min
　　稱重量程：  12kg,20kg30kg可選
　　中頻功率：  40kw,60kw,80kw可選
　　充氣壓力：  0~0.05MPa
　　爐膛尺寸：Φ600mm，Φ800mm，Φ1000mm，Φ1200mm可選
　　控制方式：  自動、手動線控
　　最低提拉速度：≤0.1mm/h
　　提拉系統(tǒng)突跳：  0.001mm（1mm/h）
　　稱重最小分度值：  10mg
　　中頻功率控制精度：  1‰
　　真空度：優(yōu)于進(jìn)入10-3Pa靜態(tài)測試

　　【技術(shù)水平】國際先進(jìn)

　　【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】激光單晶爐主要用于生長各類型人工晶體材料，通過晶體材料的開發(fā)可廣泛應(yīng)用于節(jié)能照明、集成電路開發(fā)、軍事技術(shù)、醫(yī)療檢測、安防、核醫(yī)學(xué)、高能物理、空間探測、暗物質(zhì)探測、紅外光學(xué)、半導(dǎo)體微電子工藝等諸多方向。

　　【專利狀態(tài)】已取得專利3項(xiàng)

　　【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)、工程應(yīng)用階段

　　【合作方式】融資需求

　　【投入需求】1000萬元

　　【轉(zhuǎn)化周期】2年

　　【預(yù)期效益】項(xiàng)目實(shí)施將打破國外技術(shù)封鎖、解決產(chǎn)業(yè)鏈中的裝備技術(shù)

　　關(guān)鍵、瓶頸問題；目前，進(jìn)口的晶體材料生長裝備的單價(jià)在三百五十萬元以上，采用同類型我所自產(chǎn)設(shè)備，單臺可降低成本200萬，以批產(chǎn)50臺計(jì)算，可直接節(jié)約投資1億。隨著國內(nèi)各行業(yè)對高品質(zhì)人工晶體材料需求量的驟增，對各類型晶體材料的研究愈加重視，目前國產(chǎn)手動或半自動設(shè)備不能滿足現(xiàn)有要求，陸續(xù)會更新為全自動設(shè)備，預(yù)計(jì)未來單晶爐設(shè)備的需求量在1000臺以上，將帶動后端晶體材料市場的繁榮發(fā)展，預(yù)期直接間接效益超過千億。

　　【聯(lián)系方式】楊  柳023-62916218/15909360423