【技術簡介】氮化鋁陶瓷具有高的導熱率、低的熱膨脹系數、高的絕緣特性和良好的機械強度及無毒等特點，而成為新一代高導熱絕緣散熱材料，而在微電子、光電子、電力電子等領域具有廣闊的應用前景。氮化鋁多層陶瓷基板是利用多層共燒技術而制成的高導熱高密度基板，覆銅陶瓷基板是在高溫下將高導電無氧銅直接鍵合到氮化鋁陶瓷表面所形成的陶瓷復合基板。

　　【技術特點】多層陶瓷基板具有導熱率高、布線密度高、可靠性高的特點，適用于高密度微波模塊和組件，對于降低模塊的體積和重量，提高模塊的集成度具有重要的意義。
　　陶瓷覆銅基板具有導熱率高、電流承載能力強、可靠性高的特點，并能像PCB一樣刻蝕出各種圖形，是新型電力電子器件和模塊關鍵絕緣散熱基板。

　　【技術水平】氮化鋁多層陶瓷板：導熱率180W/m.K，層數大于4層，線條/線間距：0.2mm；
　　陶瓷覆銅基板：熱導率180W/m.K，絕緣耐壓大于15KV/mm，剝離強度大于60N/mm。

　　【可應用領域和范圍】氮化鋁多層陶瓷及覆銅基板主要用于高功率電子領域，可在電力電子、微電子、光電子等領域用作散熱基板。

　　【專利狀態】已申請3項專利。

　　【技術狀態】批量生產階段

　　【合作方式】合作開發

　　【投入需求】需投入1000萬元

　　【預期效益】預期將在微電子、光電子和電力電子等領域獲得廣泛的應用，創造較好的社會和經濟效益。

　　【聯系方式】劉志平  0311-87091474