【技術簡介】
　　（1）射頻控制類集成電路技術。采用成熟的0.5um PHEMT技術加工的PHEMT具有較低的溝道電阻，較高的擊穿電壓，加上精確的金屬膜電阻技術和通孔技術，可以實現低插損、高隔離的射頻開關芯片設計。
　　（2）GaAs多功能IC的設計技術。在IC設計中，采用E/D PHEMT技術，將增強型和耗盡型器件集成到一個工藝平臺上，提高產品集成度，減小芯片面積，提高產品性價比。
　　（3）功率放大器的線性補償和溫度補償技術。通過在HBT基極有源偏置電路上引入電容元件，對器件基極大信號工作下的射頻電流分量進行補償；通過引入鏡相電流源的辦法，對產品高、低溫下的直流偏置點進行補償，并在設計中模擬整個放大器的高、低溫線性特性，保障器件高低溫工作特性和可靠性。
　　（4）射頻多芯片多功能集成電路。采用多層PCB和LTCC作為電路的互連基板技術，采用三維電磁場分析軟件HFSS進行整板設計的仿真和優化。

　　【技術水平】技術持有單位擁有核心的移動通信用高端射頻電路設計技術，設計、測試水平國內領先，是中興、華為等通信設備商的唯一國內供應商，打破了國外壟斷。

　　【可應用領域和范圍】射頻集成電路及模塊主要應用于移動通信領域，是未來3G、4G移動通信設備關鍵元器件之一。

　　【專利狀態】已獲得專利2項

　　【技術狀態】批量生產階段

　　【合作方式】合作開發

　　【投入需求】平臺建設、設備儀器采購等共需投入14000萬元。

　　【預期效益】達產后，形成年產各類射頻開關、放大器、多芯片多功能SIP集成電路等9200萬只的研發生產能力，正常生產年年銷售收入為3.95億元，利潤5000萬元。

　　【聯系方式】劉洋   025-86858681   13913929423