【技術簡介】GaN HEMT材料具有低的導通電阻、高的工作頻率，能滿足下一代功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。相對于同為寬禁帶半導體的SiC大功率器件，GaN高功率器件不僅具有耐高壓以及高電流的特性，更具有開關速度快，在同樣的耐壓條件下，導通電阻遠低于SiC功率器件等優勢，具有更快的速度，更小的損耗以及更高的效率。
GaN基產品具有高射頻功率密度和效率、低電容和高熱能傳導性等特點，這些特點使精密高效的高功率放大器得到發展及廣泛應用，這些應用包括移動無線通信（PMR）、3G/4G無線基礎設施、ISM（工業、科學和醫療）、民用雷達以及CATV傳輸網絡。
【主要技術指標】
4英寸GaN HEMT外延材料：
(1)方塊電阻不均勻性＜2%
(2)室溫二維電子氣遷移率＞2000cm2/V.s
(3)GaN緩沖層（002）面XRD衍射峰半高寬＜240弧秒、
(4)表面粗糙度＜0.5nm
【技術特點】金屬基泄氣保用車輛是一項具有自主知識產權新型發明產品。在實現零壓續跑的和輕量化的同時，可徹底改善輪胎散熱條件，延長輪胎使用壽命，提高輪式車輛的安全性、舒適性和泄氣使用等綜合性能。
【技術水平】國際先進
【適用范圍】雷達、無線通信、能源轉換車等行業領域。
【專利狀態】已取得專利17項
【技術狀態】小批量生產、工程應用階段
【合作方式】合作開發
【投入需求】5000萬元
【轉化周期】3年
【預期效益】GaN HEMT外延材料是新型微波功率器件、電力電子器件研制的基礎，在電力傳輸、能源轉換、無線通信、新能源汽車等行業領域有著廣闊的應用前景。目前中國電子科技集團公司第五十五研究所年產4英寸GaN HEMT外延片2000片以上，產值達到6000萬元每年，如果加大投入并吸收海內外高水平技術、營銷團隊，該項目年產值將達到3億元以上。
【聯系方式】李忠輝  025-68005201/13813872026