【技術(shù)簡介】GaN HEMT材料具有低的導(dǎo)通電阻、高的工作頻率，能滿足下一代功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。相對于同為寬禁帶半導(dǎo)體的SiC大功率器件，GaN高功率器件不僅具有耐高壓以及高電流的特性，更具有開關(guān)速度快，在同樣的耐壓條件下，導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)低于SiC功率器件等優(yōu)勢，具有更快的速度，更小的損耗以及更高的效率。
GaN基產(chǎn)品具有高射頻功率密度和效率、低電容和高熱能傳導(dǎo)性等特點，這些特點使精密高效的高功率放大器得到發(fā)展及廣泛應(yīng)用，這些應(yīng)用包括移動無線通信（PMR）、3G/4G無線基礎(chǔ)設(shè)施、ISM（工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療）、民用雷達(dá)以及CATV傳輸網(wǎng)絡(luò)。
【主要技術(shù)指標(biāo)】
4英寸GaN HEMT外延材料：
(1)方塊電阻不均勻性＜2%
(2)室溫二維電子氣遷移率＞2000cm2/V.s
(3)GaN緩沖層（002）面XRD衍射峰半高寬＜240弧秒、
(4)表面粗糙度＜0.5nm
【技術(shù)特點】金屬基泄氣保用車輛是一項具有自主知識產(chǎn)權(quán)新型發(fā)明產(chǎn)品。在實現(xiàn)零壓續(xù)跑的和輕量化的同時，可徹底改善輪胎散熱條件，延長輪胎使用壽命，提高輪式車輛的安全性、舒適性和泄氣使用等綜合性能。
【技術(shù)水平】國際先進(jìn)
【適用范圍】雷達(dá)、無線通信、能源轉(zhuǎn)換車等行業(yè)領(lǐng)域。
【專利狀態(tài)】已取得專利17項
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)、工程應(yīng)用階段
【合作方式】合作開發(fā)
【投入需求】5000萬元
【轉(zhuǎn)化周期】3年
【預(yù)期效益】GaN HEMT外延材料是新型微波功率器件、電力電子器件研制的基礎(chǔ)，在電力傳輸、能源轉(zhuǎn)換、無線通信、新能源汽車等行業(yè)領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。目前中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所年產(chǎn)4英寸GaN HEMT外延片2000片以上，產(chǎn)值達(dá)到6000萬元每年，如果加大投入并吸收海內(nèi)外高水平技術(shù)、營銷團(tuán)隊，該項目年產(chǎn)值將達(dá)到3億元以上。
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