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我國雷達核心部件材料研制實現新突破

近日，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產品面世。中國電子材料行業協會組織的專家認為，該成果國內領先，已達到國際先進水平。　　碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達系統的核心。長期以來，碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產品生產、加工難度大，一直是國內空白，國際上只有少數國家掌握該技術，并一直對我國進行技術封鎖和產品禁運。　　據了解，碳化硅基微波器件作為當今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現有微波器件的10倍，將成為下一代雷達技術的標準，美軍干擾機和“宙斯盾..

2015-07-26

共1頁總數：2條

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