科技日報(bào)訊 （記者左常睿）11月28日，寧波時(shí)代全芯科技有限公司在寧波現(xiàn)場發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片。這一成果的發(fā)布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術(shù)自主知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這將有利于打破存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國外公司壟斷的局面。
目前靜態(tài)隨機(jī)存儲技術(shù)、動態(tài)隨機(jī)存儲技術(shù)和快閃存儲技術(shù)應(yīng)用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲技術(shù)——相變存儲技術(shù)，由于是利用材料相變產(chǎn)生不同的特性作資料存儲，存儲容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于目前的高端硬盤。與現(xiàn)有傳統(tǒng)芯片相比，相變存儲器執(zhí)行速度快1000倍，耐久性多1萬倍。與快閃存儲一樣，相變存儲是非揮發(fā)性的，但比快閃存儲更耐用，通常快閃存儲持續(xù)約為10萬次讀/寫，而相變存儲的耐用性數(shù)千至百萬倍于閃存，其編程速度也比閃存具有數(shù)量級的優(yōu)勢，因此，這一新技術(shù)被認(rèn)為會帶來一個(gè)顛覆性的存儲新時(shí)代。
實(shí)際上，相變存儲技術(shù)的研發(fā)歷史已經(jīng)有30多年，但是直到最近幾年，由于快速結(jié)晶材料的發(fā)現(xiàn)才開始邁入商業(yè)化階段。第一批商業(yè)化的相變存儲產(chǎn)品預(yù)計(jì)在今年內(nèi)推出，而其主流產(chǎn)品，如替代傳統(tǒng)硬盤的固態(tài)硬盤將于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等國外廠商擁有商品化的相變存儲產(chǎn)品，而寧波時(shí)代全芯公司自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片讓我國首次闖入了以前由外國廠商壟斷的相變存儲市場。
據(jù)了解，寧波時(shí)代全芯公司相變存儲技術(shù)擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，已申請專利57項(xiàng)，正在申請的專利有141項(xiàng)。其研發(fā)團(tuán)隊(duì)由美國國家工程院院士、中國科學(xué)院外籍院士馬佐平等專家組成。
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