近日，臺積電宣布已開始試產效能更強、功耗更低的16納米升級版FinFET制程（16FF ），將于2015年的第二季度提前量產，可望在今年年底前完成數十件設計定案。而此前，英特爾、三星早已先后宣布進入14納米量產階段。當全球都將目光聚集在1x納米制程的時候，中國大陸卻仿佛已游離在這個圈子之外。中國大陸最大的半導體代工企業中芯國際，遲遲還沒有傳出進入28納米量產的消息。這不禁讓人憂心，中國的IC制造如何才能重新跟上世界的先進步伐？
全球開始邁入1x納米量產
英特爾是最早進入1x納米制程量產的，其運用的是14納米的第二代FinFET（鰭式場效電晶體管）技術。量產并沒有最初想象中的順利——英特爾初期的14納米工藝良率極低，遲遲未達到量產標準，經歷了幾次量產時間跳票。直到2014年8月，英特爾才宣布交付并量產了世界首款14納米Broadwell處理器。自此，英特爾正式進入14納米量產階段。
繼英特爾之后，順利傳出1x納米量產消息的是三星。在2014年12月，三星半導體業務總裁金奇南（KimKi-nam）宣布，三星14nmFinFET工藝進展順利，已經在投產客戶芯片了。接著在今年的2月16日，三星正式公布了14納米處理器量產的消息。受14納米量產和良率的提高，三星先后搶下了蘋果A9和高通的大訂單。根據DIGITIMESResearch的預估，三星在2015年的全球市占率有可能達到10%。
不甘示弱的臺積電，也宣布將于今年第二季度量產16奈米FinFET強效版制程。而Globalfoundries已在2014年與三星達成策略結盟，拿到了三星14納米技術授權，并可能于今年同樣實現量產。
即使是尚未進入16納米階段的臺聯電，也在2014年年底進入了28納米量產。其28納米營收比重迅速爬升到了2014年第四季度營收的5%，并預計在今年的第二季度進行第二代14納米FinFET制程試產。
“目前這些排在前面的代工廠都已經進入28納米量產，甚至是14/16納米量產。雖然目前從行業來說，并沒有嚴格劃分誰是第一陣營，但28納米是一個技術比較關鍵的工藝點，可以以此劃分。”半導體專家莫大康向《中國電子報》記者解釋。
中國大陸何時重入第一陣營？
在2~3年前，中國大陸也曾經進入過半導體制造的第一陣營。莫大康告訴記者，當時業界對制造第一陣營的劃分，是按照是否擁有12英寸晶圓廠的標準來判斷的。以此判斷，有3座12英寸晶圓廠傍身的中芯國際還處于第一陣營的范圍內。
然而，到了現在，判斷第一陣營的標準可能就變成了關鍵的 技術節點。“像28納米制程，不是再光靠購買設備就能實現。因此，也有很多大型的半導體公司從這個節點開始放棄，并選擇代工，比如德州儀器、飛思卡爾等，這是全球的總趨勢。”莫大康補充道。
作為中國大陸最大的代工企業，中芯國際必然是衡量中國半導體制造的標桿。通過跟高通的合作，中芯國際在2014年12月宣布成功制造出了28納米的高通驍龍410處理器。雖然業界一直在傳中芯國際在28納米工藝上的成熟，但其28納米的營收卻遲遲沒有在其財報中體現。對比同樣傳出量產消息、并實現5%營收額的臺聯電，中芯國際的28納米顯然尚未真正實現量產。
武漢新芯高級副總李平向記者坦誠：“中國大陸集成電路制造工藝與世界最先進工藝還落后2~3代的技術。”東電電子上海公司總裁陳捷也同樣認為：“中國大陸半導體在2015年仍將繼續處于中低端技術陣營。”從制造工藝的角度來看，中國大陸無法跟上工藝節點進步速度，顯然已被隔離在第一陣營之外。
這樣的結果跟研發投入有很大的關系。根據市場研究公司ICInsights在今年2月公布的報告，英特爾在2014年的研發投入高達115.37億美元，三星則是21.65億美元，臺積電也有18.74億美元的研發經費。
與此相比，中芯國際2014年的研發投入只有1.895億美元，2013年的研發投入是1.45億美元，2012年的時候稍多一些，超過了2億美元。因此，技術差距的拉大是必然的。雖然這跟中芯國際保贏利、不主張積極投資的公司策略有一定關系，但也一定程度上反映了中國大陸IC制造的整體情況。
增加投入改善產業環境
中國大陸現已成為世界最大的半導體市場，不論是出于國家自主可控的安全角度，還是出于民族產業的角度，中國大陸都必須加快彌補跟第一陣營的差距。
在2014年6月國務院印發的《國家集成電路產業發展推進綱要》（以下簡稱“《綱要》”）中，早已給出了中國大陸集成電路制造的具體藍圖。到2015年，32/28納米的制造工藝要實現規模量產。到2020年，16/14納米的制造工藝要實現規模量產。
想要按照路線圖，彌補上差距，重新進入半導體制造的第一陣營，莫大康表示，首先要看到產業的復雜性和困難性，改善產業環境；其次，必須要擴大研發投入，不要怕虧本。他向記者解釋，半導體技術變化很快，按照摩爾定律來說，兩年就會向前進一個技術節點，如果沒有辦法跟上就會出局。
為了不出局，必須有大量的資金投入研發。按照應用材料副總裁余定陸曾經的說法，半導體制造在20納米及以下制程時，資本密集度將大幅增長，從60納米到20納米，儲存器產業的資本將增加3.4倍，IC產業將增加4倍。
李平向記者指出，除了資金外，還必須具備人才、知識產權兩大要素。李平認為，國家和地方政府建立的專用于發展集成電路的基金，已解決了企業發展的建設基金問題。他希望國家的投資應該更多地傾向于解決知識產權積累，鼓勵行業內人員進行攻關，縮短與國際最先進工藝的差距，避免將大量的資金投在技術落后或者正在成為落后的制造產能上。
陳捷則向記者表示，他認為要結合國際資源加快產業發展，避免重復技術研發及技術發展過程，還要歡迎國際資本和技術的進入，尤其是鼓勵海外公司技術入股，可以嘗試混合所有制（含外資），加快中國大陸集成電路產業的發展。
