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高性能功率VDMOS/IGBT晶體管
關鍵字：
高性能
VDMOS/IGBT
晶體管
所屬行業：
電子信息
發布時間：
2015-01-29
價格：
所在地區：
陜西 西安
合作信息期限：
2016年2月
合作信息類型：
成果轉讓
機構類型：
企業
供求關系：
供應
合作信息簡介：
【技術簡介】功率VDMOS場效應晶體管是新一代大功率半導體器件，其主要優點是開關速度快、驅動功率小、安全工作區寬、溫度穩定性好。 功率MOS晶體管一般用作開關電源或電機控制器的主開關器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此，新型功率MOS晶體管是高新設備中非常重要的基礎器件..
發布機構：
西安衛光科技有限公司
共
1
頁 總數：
2
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