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上海硅酸鹽所在SiC-LED研究中取得突破性進展
中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下了基礎。 半導體照明是一種基于LED的新型光源的固態照明，襯底材料是半導體照明產業技術發展的基礎，不同的襯底材料決定了LED外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術。因此，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線，目前用于LED的襯底材料主要有藍寶石、碳化硅（SiC）、硅以及金屬襯..
2014-08-26
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