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廣西工業(yè)創(chuàng)新促進(jìn)會

高性能功率VDMOS/IGBT晶體管

高性能　 VDMOS/IGBT　晶體管　

所屬行業(yè)：電子信息

合作信息期限：2016-2

參考價格：面議

合作信息類型：成果轉(zhuǎn)讓

機(jī)構(gòu)類型：企業(yè)

供求關(guān)系：供應(yīng)

合作信息簡介：【技術(shù)簡介】功率VDMOS場效應(yīng)晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件，其主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。　　功率MOS晶體管一般用作開關(guān)電源或電機(jī)控制器的主開關(guān)器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此，新型功率MOS晶體管是高新設(shè)備中非常重要的基礎(chǔ)器件..

高性能功率IGBT晶體管的關(guān)鍵技術(shù)

IGBT晶體管　

所屬行業(yè)：電子信息

合作信息期限：2016-1

參考價格：面議

合作信息類型：技術(shù)協(xié)作

機(jī)構(gòu)類型：企業(yè)

供求關(guān)系：供應(yīng)

合作信息簡介：【技術(shù)簡介】功率IGBT晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件，其主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)迅速、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。　　由于開關(guān)迅速，在開關(guān)電源等變流裝置中，可使電路在更高的頻率下工作，因此可大大減小變壓器的體積和重量。由于驅(qū)動功率小，使驅(qū)動電路大大簡化，元器件數(shù)量減少，故障..

共1頁總數(shù)：2條

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