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GaN HEMT外延材料
外延材料
所屬行業：
新材料
合作信息期限：
2020-2
參考價格：
面議
合作信息類型：
意向合作
機構類型：
科研院所
供求關系：
供應
合作信息簡介：
【技術簡介】GaN HEMT材料具有低的導通電阻、高的工作頻率，能滿足下一代功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。相對于同為寬禁帶半導體的SiC大功率器件，GaN高功率器件不僅具有耐高壓以及高電流的特性，更具有開關速度快，在同樣的耐壓條件下，導通電阻遠低于SiC功率器件等優..
大尺寸硅外延生產技術
大尺寸
硅外延
生產技術
所屬行業：
新材料
合作信息期限：
2016-2
參考價格：
面議
合作信息類型：
意向合作
機構類型：
企業
供求關系：
供應
合作信息簡介：
【技術簡介】通過對外延設備在硅片上再生長一層外延層的控制、不同的參雜等，可滿足不同客戶的產品需求。外延工藝是以 SiHCl3為源，通過中頻加熱方式進行氣相淀積，電阻率、厚度、均勻性和重復性均能得到較好的控制。 【技術特點】已完全掌握6～8英寸硅外延工藝和技術，產品及工藝技術水平國內..
新一代無線移動通信用射頻集成電路及模塊
無線移動通信
射頻
集成電路
所屬行業：
電子信息
合作信息期限：
2016-2
參考價格：
面議
合作信息類型：
意向合作
機構類型：
企業
供求關系：
供應
合作信息簡介：
【技術簡介】 （1）射頻控制類集成電路技術。采用成熟的0.5um PHEMT技術加工的PHEMT具有較低的溝道電阻，較高的擊穿電壓，加上精確的金屬膜電阻技術和通孔技術，可以實現低插損、高隔離的射頻開關芯片設計。 （2）GaAs多功能IC的設計技術。在IC設計中，采用E/D PHEMT技術，將增強型和耗盡型..
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